获奖情况：2011年度广东省科学技术奖二等奖

完成人员：范广涵 ， 李述体 ， 郑树文 ， 廖常俊 ， 刘颂豪 ， 章勇 ， 吴文锋 ， 黄俊毅 ， 刘纪美

成果简介：

1、本项目属于材料科学低维无机非金属材料领域。
2、主要技术内容：
（1）、创新性地研制出了以p型超晶格作为p型电极接触层的GaN基LED外延结构，该技术被评达到国际先进水平；创新地以掺Ta的ITO电流扩展层用于蓝光芯片，以上两种技术使LED的接触电阻率、正向电压和光输出功率都有明显改善。
（2）、创新性地用电子布拉格发射器与LED，约束和控制电子，提高复合效率；设计出新型光学布拉格反射器，以上两种技术提高了LED内、外量子效率。
（3）、研究了高温GaN生长的早期阶段的生长速率对GaN薄膜和LED外延结构品质的影响，设计出最优化的生长模式。
（4）、在运行机制和管理模式上创新性地建立了广州市LED工业研究开发基地，包括生产中心和研发中心。该中心从外延、芯片、封装和应用各环节创新性地开发了系列LED产业化技术。
3、技术经济指标：
（1）AlGaInP基红光LED电流20mA,发射角15°，平均法向光强≥1000mcd(1999年的指标)；
（2）GaN基蓝光普通结构尺寸芯片，光功率达到10mW以上，达到国际先进水平。（2007年的指标）。
（3）大功率白光芯片在直流350毫安以上的电流下，可持续稳定工作。
（4）近三年累计新增利润：3208.12万元、新增税收：1905.21万元、创收外汇：1414.24万元、节支总额：5169.87万元。
4、促进行业科技进步作用及应用推广情况
（1）、本项目技术团队及LED基地成为广东省和华南地区最重要的LED技术研发平台，服务于LED企业，产生了重要的示范和推动作用。
（2）、本项目的技术应用于亮达公司、健隆集团、亚一照明及这些公司与其它公司合作的LED产品生产中。（3）、研究的GaN基和AlGaInP基蓝、红、白LED器件已经用于信号灯，景观灯，背光源、照明光源等方面。